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#특허

CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원등록, 절차, 방법, 특허권 효과

by 하앤유 특허법률사무소2025.09.09조회수 25

안녕하세요.
하앤유특허법률사무소의 하수준 변리사입니다.

 

​하앤유는 여러분의 소중한 아이디어와 발명품을 보호하기 위해 최선을 다하고 있으며,
특허 분야에서 귀하의 권리를 안전하게 지켜드리고 있습니다.

 


기술의 빠른 발전 속에서도 창의적인 발명과 아이디어를 지켜드릴 수 있도록,
하앤유는 전문적인 지식과 경험을 바탕으로 최상의 서비스를 제공해드리고 있습니다.

 

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

목차

 

1. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원의 의미
2. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원의 필요성
3. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원 및 등록 요건
4. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원 및 등록 절차
5. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원에 대한 심사
6. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허권 효력

 

 

 

 

 

 


 

 

1. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원의 의미

 

 

 

 

 

 

 

 

CIGS 태양전지 특허 출원이란, 구리(Cu), 인듐(In), 갈륨(Ga), 셀레늄(Se)으로 이루어진 화합물 반도체 박막을 이용한 태양전지 기술을 법적으로 보호받기 위해 특허청에 신청하는 절차를 말합니다. 이 기술은 박막형 태양전지 중에서도 변환 효율이 높고, 유연한 기판에도 적용이 가능해 차세대 태양광 발전 소자로 주목받고 있습니다. 따라서 관련 기술을 보유한 기업이나 연구자가 특허를 출원하면 독창적 구조나 제조 공정, 효율 향상 방식 등을 권리화할 수 있습니다.

 

CIGS 태양전지는 실리콘 태양전지보다 재료 사용량이 적고, 곡면이나 건축자재에도 쉽게 부착할 수 있다는 장점이 있어 응용 분야가 넓습니다. 이런 특허 출원은 단순히 셀의 기본 구조뿐 아니라 박막 증착 방법, 성분 조성비 최적화, 내구성 강화 기술 등 세부적이고 차별적인 발명 요소를 포함할 수 있습니다. 즉, 연구 단계에서부터 상용화 과정까지 개발된 기술을 체계적으로 보호해 경쟁사의 모방을 방지하는 역할을 합니다.

 

결국 CIGS 태양전지 특허 출원은 태양광 발전의 고효율·저비용화를 선도하는 기술을 독점적으로 활용할 수 있는 법적 기반을 마련하는 것입니다. 이를 통해 기업은 시장 진입 장벽을 높이고 투자 유치를 유리하게 만들며, 연구자는 자신의 성과를 안전하게 보호받을 수 있습니다. 즉, 신재생에너지 산업에서 기술적 우위와 경제적 가치를 동시에 확보하기 위한 핵심 전략이라 할 수 있습니다.

 

 

 

 

 

 

 

 

 


 

 

2. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원의 필요성

 

 

 

 

⑴ 기술 보호

 

CIGS 태양전지는 고효율과 유연성을 동시에 갖춘 차세대 박막 태양전지 기술로, 연구개발에 많은 시간과 자원이 투입됩니다. 이러한 핵심 기술이 공개만 되고 법적 장치 없이 사용된다면 경쟁사가 손쉽게 모방할 수 있습니다. 특허 출원을 통해 개발된 구조, 공정, 성분 조성 등의 세부 기술을 권리화하면 독창적 성과를 안전하게 보호할 수 있습니다.

 

 

 

⑵ 경쟁력 강화

 

태양광 시장은 글로벌 기업들이 치열하게 경쟁하는 분야로, 기술 차별성이 곧 시장 점유율을 좌우합니다. CIGS 태양전지 특허를 확보하면 단순히 제품 성능을 높이는 것에서 나아가, 진입 장벽을 높여 경쟁사의 접근을 막을 수 있습니다. 또한, 기술 독점은 브랜드 신뢰도를 높이고 장기적인 산업 경쟁력 확보에 기여합니다.

 

 

 

⑶ 수익 창출

 

특허는 단순히 보호 수단을 넘어 경제적 자산으로 활용될 수 있습니다. CIGS 태양전지 특허권자는 직접 사업화하여 매출을 올리거나, 라이선스 계약을 통해 사용료를 받을 수 있습니다. 또한, 공동 연구개발이나 투자 유치 과정에서 특허는 기업 가치와 협상력을 높이는 중요한 지적재산 자산으로 작용합니다.

 

 

 

⑷ 법적 보호

 

특허권을 보유하면 기술 침해가 발생했을 때 법적으로 대응할 수 있는 근거가 마련됩니다. 이는 권리자의 이익을 지켜줄 뿐 아니라, 기술적 기여를 인정받는 사회적 신뢰 기반이 됩니다. 나아가 국제 출원으로 확대할 경우 글로벌 시장에서도 권리를 주장할 수 있어, 안정적으로 사업을 운영하는 데 중요한 법적 안전망이 됩니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

3. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원 및 등록 요건

 

 

 

 

 

⑴ 신규성

 

CIGS 태양전지 특허를 출원하려면 먼저 기존에 공개된 기술과 달라야 합니다. 즉, 논문, 특허, 전시회, 인터넷 등 어디에서도 동일한 구조나 공정, 재료 조합이 알려져 있지 않아야 신규성이 인정됩니다. 이미 공개된 기술과 조금이라도 동일하다면 특허를 받을 수 없으므로, 출원 전 선행기술 조사가 매우 중요합니다.

 

 

 


⑵ 진보성

 

단순히 새로운 것만으로는 부족하고, 기존 기술자가 쉽게 생각해낼 수 없는 수준의 창의적 차별성이 있어야 합니다. 예를 들어, CIGS 박막의 조성비를 독창적으로 개선해 효율을 높였거나, 증착 공정을 새롭게 설계해 내구성을 강화했다면 진보성이 인정될 수 있습니다. 이는 특허가 단순한 모방이 아니라 기술적 진보를 담고 있음을 보여주는 핵심 요건입니다.

 

 

 

 

⑶ 산업적 이용 가능성

 

마지막으로 해당 기술이 실제 산업 현장에서 적용 가능해야 합니다. 즉, 실험 단계에 그치지 않고 태양전지 모듈 생산, 건축 자재, 휴대용 전원장치 등 구체적인 활용 분야에서 구현 가능해야 합니다. 이를 통해 특허권은 단순한 아이디어 보호를 넘어, 산업 발전에 기여할 수 있는 실질적 가치가 있는 발명임을 증명해야 합니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

4. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원 및 등록 절차

 

 

 

 

 

⑴ 선행기술조사

 

특허 출원에 앞서 가장 먼저 해야 할 일은 기존에 공개된 기술을 조사하는 것입니다. 이를 통해 출원하려는 CIGS 태양전지가 이미 알려진 기술과 겹치지 않는지를 확인할 수 있습니다. 선행기술조사는 단순한 검색이 아니라, 국내외 논문, 특허 데이터베이스, 산업 보고서 등을 종합적으로 분석해 차별성을 확인하는 중요한 절차입니다.

 

 

 

⑵ 명세서 및 청구항 작성

 

명세서는 발명을 구체적으로 설명하는 문서로, CIGS 태양전지의 구조·재료·제조 공정·효과 등을 빠짐없이 기록해야 합니다. 청구항은 발명의 보호 범위를 정의하는 부분이므로, 기술적 핵심과 차별성을 명확히 드러내야 합니다. 이 단계가 특허권의 범위를 좌우하므로 전문적인 지식과 세심한 문장 구성이 필요합니다.

 

 

 

⑶ 특허 출원서 제출

 

출원서에는 발명의 명칭, 발명자와 출원인 정보, 발명의 상세 내용과 도면 등이 포함됩니다. 이는 특허청에 제출되는 공식 문서로, 형식과 요건을 충족해야 접수가 원활히 진행됩니다. 작성 과정에서 누락이나 오류가 있으면 심사 단계에서 문제가 될 수 있으므로, 체계적이고 정확한 준비가 요구됩니다.

 

 

 

⑷ 방식심사 및 출원공개

 

출원이 접수되면 특허청은 우선 형식적 요건을 검토하는 방식심사를 진행합니다. 제출 서류가 규정에 맞으면 출원일로부터 약 18개월 후에 출원 내용이 공개됩니다. 공개를 통해 다른 기업이나 연구자도 해당 발명을 확인할 수 있으며, 이는 기술의 존재를 알림과 동시에 연구자의 권리를 간접적으로 보호하는 효과가 있습니다.

 

 

 

⑸ 실체심사 및 보정 대응

 

방식심사 이후에는 발명의 신규성, 진보성, 산업적 이용가능성을 중심으로 실체심사가 이루어집니다. 이 과정에서 심사관이 거절이유를 통지할 수 있으며, 출원인은 의견서 제출이나 청구항 보정을 통해 대응할 수 있습니다. 보정 과정은 권리 범위를 적절히 조정하면서도 발명의 본질적 가치를 유지하는 전략적 대응이 필요합니다.

 

 

 

⑹ 등록결정 및 등록료 납부

 

실체심사에서 요건을 모두 충족하면 특허청은 등록결정을 내리고, 출원인은 정해진 기한 내에 등록료를 납부해야 합니다. 등록료 납부가 완료되면 해당 CIGS 태양전지 발명은 정식 특허권으로 부여되어 법적 권리가 발생합니다. 이후 일정 기간 동안 독점적 사용·사업화·라이선스 계약 등이 가능해지며, 이는 연구 성과를 경제적·법적으로 보호하는 중요한 기반이 됩니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

5. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허 출원에 대한 심사

 

 

 

 

 

⑴ 형식 심사

 

특허청에 CIGS 태양전지 특허를 출원하면 가장 먼저 형식심사가 이루어집니다. 이 단계에서는 서류가 규정에 맞게 작성되었는지, 제출 요건이 제대로 갖춰졌는지를 확인합니다. 출원인 정보, 발명의 명칭, 명세서와 청구항, 도면 등이 빠짐없이 제출되었는지가 핵심 심사 대상입니다. 형식상 문제가 있으면 보정 요구가 내려지며, 이를 기한 내에 수정하지 않으면 절차가 중단될 수 있습니다.

 

 

 

⑵ 실체 심사

 

형식심사를 통과하면 실체심사가 진행되며, 이 단계에서 발명의 본질적인 특허 요건을 검토합니다. 즉, CIGS 태양전지가 기존에 공개된 기술과 비교해 신규성이 있는지, 기술자가 쉽게 생각할 수 없는 진보성을 갖췄는지, 그리고 실제 산업적으로 활용 가능한지를 심사합니다. 심사관이 거절이유를 통지하면 출원인은 의견서를 제출하거나 청구항을 보정해 대응할 수 있으며, 이 과정이 특허 등록 여부를 결정하는 가장 중요한 절차입니다.

 

 

 

⑶ 등록결정

 

실체심사에서 모든 요건이 충족되면 특허청은 등록결정을 내립니다. 이후 출원인이 정해진 기간 내에 등록료를 납부하면 CIGS 태양전지 발명은 정식 특허로 등록됩니다. 이 시점부터 발명자는 일정 기간 동안 독점적 권리를 가지게 되어 기술을 사업화하거나 타인에게 라이선스를 부여하는 등 권리 행사가 가능해집니다. 등록결정은 출원 과정을 마무리하는 단계이자 권리화를 확정하는 핵심 절차입니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

6. CIGS 태양전지, 박막전지, CIGS, Mo 특허권 효력

 

 

 

 

 

⑴ 독점적 권리

 

CIGS 태양전지 특허권을 확보하면 발명자는 해당 기술을 독점적으로 사용할 수 있는 권리를 가집니다. 이는 동일하거나 유사한 기술을 다른 기업이나 개인이 자유롭게 이용하지 못하도록 하는 강력한 제도적 장치입니다. 따라서 발명자는 자신이 개발한 핵심 기술을 기반으로 시장에서 기술적 우위를 확보하고 안정적인 사업 운영을 이어갈 수 있습니다.

 

 

 

⑵ 무단 사용 금지

 

특허권은 권리자의 허락 없이 제3자가 해당 기술을 제조, 판매, 수입, 이용하는 것을 금지합니다. 만약 무단 사용이 발생하면 특허권자는 침해 금지 청구나 손해배상 청구 같은 법적 대응을 할 수 있습니다. 이를 통해 연구자의 성과를 보호하고, 기술 모방이나 불공정 경쟁을 효과적으로 차단할 수 있습니다.

 

 

 

⑶ 수익 창출

 

특허권은 단순히 보호 장치에 그치지 않고, 새로운 수익 모델로 활용될 수 있습니다. 권리자는 CIGS 태양전지 기술을 직접 제품화하여 판매할 수도 있고, 다른 기업에 라이선스를 부여해 로열티를 받을 수도 있습니다. 또한 특허권은 공동 연구개발, 투자 유치 과정에서 기업 가치와 협상력을 높이는 중요한 자산으로 작용합니다.

 

 

 

⑷ 보호 기간

 

CIGS 태양전지 특허권은 출원일로부터 20년간 유지되며, 이 기간 동안 독점적 권리가 보장됩니다. 권리자는 이 기간 동안 기술을 활용해 사업화와 수익화를 극대화할 수 있으며, 이를 통해 시장에서 장기적인 경쟁 우위를 확보할 수 있습니다. 다만 보호기간이 끝나면 기술은 공공 자산으로 전환되어 누구나 자유롭게 활용할 수 있습니다.

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

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고객님의 아이디어와 발명품이 성공적으로 보호받을 수 있도록, 믿을 수 있는 파트너가 되어 드리겠습니다.

 

문의사항이 있으시면 언제든지 편하게 연락 주시기 바랍니다.

 

여러분의 소중한 권리를 지키는 데 최선을 다하겠습니다.

 

감사합니다.

 

 

 

 

 


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